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一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103616385A, 公开日期: 2014-03-05,
Inventors:  李豫东;  郭旗;  汪波;  文林;  玛丽娅·黑尼;  任建伟
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CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统 期刊论文
光学精密工程, 2013, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 2778-2784
Authors:  李豫东;  汪波;  郭旗;  玛丽娅;  任建伟
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辐射效应  抗辐射性能