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金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200810072972.6, 申请日期: 2011-03-23, 公开日期: 2013-11-27
Inventors:  陈朝阳;  范艳伟;  董茂进;  丛秀云;  陶明德;  王军华
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Mn-Co-Zn-O体系制备低阻高B型单层片式NTCR 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 355-358
Authors:  贾素兰;  陈朝阳;  陶明德;  丛秀云
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Ntc热敏电阻  低阻高b  单层片式  
金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究 期刊论文
电子元件与材料, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 29-32
Authors:  张希涛;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云
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Ntc热敏电阻  单晶硅      深能级杂质  
ZnO-CuO掺杂对Mn-Co-O系NTC热敏电阻微观结构与电性能的影响 期刊论文
电子元件与材料, 2011, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 11-14
Authors:  贾素兰;  陈朝阳;  范艳伟;  从秀云
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Ntc热敏电阻  低阻高b  尖晶石结构  Mn-co-o系  
过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200710180002.3, 申请日期: 2010-08-11, 公开日期: 2013-11-27
Inventors:  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云
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Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 期刊论文
功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 37-39
Authors:  董茂进;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云;  王军华;  陶明德
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双重掺杂  深能级杂质  Au  Ni  热敏特性  
NTC and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 52-55
Authors:  Dong, Maojin;  Chen, Zhaoyang;  Fan, Yanwei;  Wang, Junhua;  Tao, Mingde;  Cong, Xiuyun
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Deep Level Impurities  Nickel  Gold  Ntc  Electrical Properties  
一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200410092027.4, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2013-11-27
Inventors:  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  蔡志军;  崔志明
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一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200310116749.4, 申请日期: 2007-10-26, 公开日期: 2013-11-27
Inventors:  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云
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用微波加热法一步合成稀土掺杂光致荧光材料 专利
专利类型: 发明, 专利号: ZL200510079360.6, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2013-11-27
Inventors:  巴维真;  陈朝阳;  朱磊;  刘秋江;  丛秀云
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