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国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 1385-1389
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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总剂量辐照效应  退火  亚阈曲线  
国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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60coγ射线  总剂量辐照  退火效应  界面态陷阱电荷亚阈曲线