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电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607
Authors:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  兰博;  李茂顺
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商用ccd  氧化物电荷  界面态  退火效应  
电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128
Authors:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  王义元;  高博
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电荷耦合器件  位移损伤  Γ射线  电子辐照  
静态随机存储器抗总剂量辐射性能无损筛选方法研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
Authors:  于跃
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Sram  无损筛选  物理应力  线性回归  测试系统  
CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  王义元;  高博
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氧化物电荷  时间相关效应  辐射损伤  剂量率效应  光响应灵敏度  电荷耦合器件  
典型光电器件总剂量辐照效应试验研究 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  吾勤之;  许导进;  刘伟鑫;  于跃;  郭旗;  孙静
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总剂量效应  光电器件  氧化物陷阱电荷  界面态陷阱电荷  红外发光二极管  损伤机理  
不同60Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应 期刊论文
原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 951-955
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
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双极数模转换器  剂量率  电离效应  低剂量率损伤增强效应  
10位双极数模转换器的电离辐射效应 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2009, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 551-555
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
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双极数模转换器  60co辐照  低剂量率辐射损伤增强效应  偏置条件  
Altera SRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 12, 页码: 1128-1132
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李鹏伟;  于跃
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Sram型现场可编程门阵列  60coγ源  总剂量效应  辐射  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李鹏伟;  于跃;  李茂顺;  崔江维
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60coγ总剂量  辐射损伤  退火效应  Fpga器件  
10位双极数模转换器的电离辐射效应 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
Adobe PDF(339Kb)  |  Favorite  |  View/Download:139/1  |  Submit date:2013/04/09
双极数模转换器  偏置条件  电离辐射效应  退火特性  辐照剂量  空间电荷模型  边缘电场效应