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星用辐射效应探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2003-10-22, 授权日期: 2013-11-27
Inventors:  范隆;  任迪远;  严荣良
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一种能对电离辐射总剂量进行测量的新型固体剂量仪 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2003-07-23, 授权日期: 2013-11-27
Inventors:  范隆;  严荣良;  任迪远
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CMOS电路辐射效应及其加固 成果
中国科学院科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  严荣良;  张玲珊;  任迪远;  王宇;  朱辉;  吾勤之
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硅栅CMOS集成电路总剂量加固技术 成果
航空航天工业部科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  严荣良
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抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究 成果
新疆维吾尔自治区科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  张国强;  王国彬;  严荣良;  任迪远;  余学峰;  高剑侠;  罗来会;  陆妩;  范隆;  高文钰;  郭旗;  魏锡智
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星用抗高电离总剂量器件和电路系统辐射损伤机理研究 成果
中国科学院科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  严荣良;  任迪远;  张国强;  陆妩;  高剑侠;  郭旗;  余学峰;  范隆;  赵元富;  胡浴红;  高文钰
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PMOS剂量计的研究与空间应用 成果
新疆维吾尔自治区科技进步奖;, 1995
Accomplishers:  范隆;  任迪远;  郭旗;  严荣良;  陆妩;  余学峰;  张国强;  靳涛
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