XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 31 Help

Filters                
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor under the ionizing radiation environment 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8
Authors:  Zhou, H (Zhou Hang);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Yu, XF
Adobe PDF(465Kb)  |  Favorite  |  View/Download:36/0  |  Submit date:2018/01/26
Reliability  Silicon-on-insulator N-channel Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor  Total Ionizing Dose Effect  Electrical Stress  
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
Authors:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远;  余学峰
Adobe PDF(664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:253/0  |  Submit date:2015/06/26
可靠性  绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管  总剂量效应  电应力  
60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 331-336
Authors:  张孝富;  李豫东;  郭旗;  罗木昌;  何承发;  于新;  申志辉;  张兴尧;  邓伟;  吴正新
Adobe PDF(486Kb)  |  Favorite  |  View/Download:189/3  |  Submit date:2013/05/24
高铝组分alxga1-xn  Γ射线辐射效应  理想因子  欧姆接触  
串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 15, 页码: 347-352
Authors:  张兴尧;  郭旗;  陆妩;  张孝富;  郑齐文;  崔江维;  李豫东;  周东
Adobe PDF(444Kb)  |  Favorite  |  View/Download:239/0  |  Submit date:2013/11/06
铁电存储器  总剂量辐射  退火特性  
总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384
Authors:  郑齐文;  余学峰;  崔江维;  郭旗;  任迪远;  丛忠超
Adobe PDF(496Kb)  |  Favorite  |  View/Download:169/0  |  Submit date:2013/11/06
静态随机存储器  功能失效  测试图形  数据保存错误  
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究 期刊论文
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
Authors:  卢健;  余学峰;  郑齐文;  崔江维;  胥佳灵
Adobe PDF(1353Kb)  |  Favorite  |  View/Download:134/0  |  Submit date:2013/11/06
静态随机存储器  总剂量效应  阈值电压  
Low-Dose 1 MeV Electron Irradiation-Induced Enhancement in the Photoluminescence Emission of Ga-Rich InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 1-3
Authors:  Zhang, XF (Zhang Xiao-Fu);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Lu, W (Lu Wu)
Adobe PDF(545Kb)  |  Favorite  |  View/Download:283/0  |  Submit date:2013/11/07
CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 346-350
Authors:  李豫东;  郭旗;  陆妩;  周东;  何承发;  余学峰
Adobe PDF(252Kb)  |  Favorite  |  View/Download:232/11  |  Submit date:2012/11/29
线阵ccd  电子辐照  电离总剂量效应  时间相关效应  
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文
信息与电子工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 484-489
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
Adobe PDF(1169Kb)  |  Favorite  |  View/Download:226/14  |  Submit date:2012/11/29
双极类模拟电路  Cmos类电路  60coγ辐照  剂量率效应  
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 601-605
Authors:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维;  郑齐文;  胥佳灵
Adobe PDF(692Kb)  |  Favorite  |  View/Download:176/14  |  Submit date:2012/11/29
静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象