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CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  李豫东;  郭旗;  陆妩;  余学峰;  何承发;  李茂顺;  兰博
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线阵ccd  电子辐照  总剂量电离效应  时间相关效应  
星载DC/DC电源转换器总剂量效应研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  吾勤之;  刘伟鑫;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元
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Dc/dc电源转换器  60coγ  辐射损伤效应  退火效应  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  崔江维;  李茂顺;  李明;  王义元
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Sram型fpga  60coγ  总剂量辐射损伤效应  Cmos单元  
不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  郭旗;  余学锋;  何承发
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发射极面积  晶体管  剂量率  辐射损伤  
双极运算放大器ELDRS效应的变温加速辐照方法研究 会议论文
, 沈阳, 2009-07-01
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  郭旗;  余学峰
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运算放大器  变温辐照  加速评估  损伤增强效应  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李鹏伟;  于跃;  李茂顺;  崔江维
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60coγ总剂量  辐射损伤  退火效应  Fpga器件  
CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较 会议论文
, 沈阳, 2009-07-01
Authors:  王改丽;  余学峰;  任迪远;  郑玉展;  孙静;  文林;  高博;  李茂顺;  崔江维
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互补金属氧化物半导体  总剂量辐射  漏电流  响应特性  抗辐射能力