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深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究 会议论文
, 三亚, 2011
Authors:  崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健
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金属氧化物半导体场效应管  深亚微米  负偏压温度不稳定性效应  阈值电压  参数优化  
不同剂量率下MOSFET的辐照响应和退火行为 会议论文
, 贵州安顺, 2008
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰
Adobe PDF(322Kb)  |  Favorite  |  View/Download:151/1  |  Submit date:2013/04/09
剂量率金氧半场效晶体管  辐照响应  退火行为