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辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响 期刊论文
核技术, 2016, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 31-36
Authors:  孙静;  陆妩;  邓伟;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极线性稳压器  辐射效应  辐照温度  
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 601-605
Authors:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维;  郑齐文;  胥佳灵
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静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象  
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
Authors:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维;  周东;  许发月;  席善斌;  王飞
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Pdsoi  Sram  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669
Authors:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵;  刘刚
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互补型金属-氧化物-半导体(Cmos)器件  总剂量辐照  阈电压  统计  
栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  郑毓峰;  张军
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Cmos运算放大器  跨导  栅氧层  氧化物电荷  界面态  
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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Jfet输入双极运算放大器  60coγ辐照  剂量率效应  退火  
双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928
Authors:  陆妩;  余学锋;  任迪远;  艾尔肯;  郭旗
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双极晶体管  60coγ辐照  剂量率效应  退火