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PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853
Authors:  高博;  刘刚;  王立新;  韩郑生;  余学峰;  任迪远;  孙静
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Pmosfet  退火效应  低剂量率辐射损伤增强效应  
CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 346-350
Authors:  李豫东;  郭旗;  陆妩;  周东;  何承发;  余学峰
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线阵ccd  电子辐照  电离总剂量效应  时间相关效应  
静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 507-512
Authors:  李明;  余学峰;  许发月;  李茂顺;  高博;  崔江维;  周东;  席善斌;  王飞
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静态随机存储器  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 888-892
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元;  吾勤之;  刘伟鑫
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Dc-dc电源转换器  辐射损伤效应  退火效应  
工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 114-120
Authors:  陆妩;  郑玉展;  任迪远;  郭旗;  余学峰
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双极晶体管  60coγ辐照  剂量率效应  发射极面积  掺杂浓度  
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1257-1261
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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总剂量辐照效应  退火效应  可靠性  
国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 1385-1389
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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总剂量辐照效应  退火  亚阈曲线  
双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法 期刊论文
原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 9, 页码: 769-775
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰
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双极运算放大器  60coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强效应  加速评估方法  
Altera SRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 12, 页码: 1128-1132
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李鹏伟;  于跃
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Sram型现场可编程门阵列  60coγ源  总剂量效应  辐射