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双极运算放大器ELDRS效应的变剂量率加速模拟方法初探(英文) 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1286-1291
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  郭旗;  余学峰
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双极运算放大器  60coγ辐照  变剂量率  加速评估  
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1975-1978
Authors:  余学峰;  任迪远;  艾尔肯;  张国强;  陆妩;  郭旗
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热载子注入  总剂量辐照  相关性  
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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运算放大器  60coγ辐照  退火  剂量率效应  
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 111-114
Authors:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
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预先老化  辐照  注f  可靠性  
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响 期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 1, 页码: 111-114
Authors:  崔帅;  余学峰;  任迪远;  张华林;  艾尔肯
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预先老化  辐照  注f  可靠性  
CMOS运算放大器的辐照和退火行为 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 731-734
Authors:  任迪远;  陆妩;  郭旗;  余学锋;  王明刚;  胡浴红;  赵文魁
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Cmos运算放大器  电离辐射  退火  
双极晶体管的低剂量率电离辐射效应 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1675-1679
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  何承发;  艾尔肯;  崔帅
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低剂量率  电离辐射  双极晶体管  空间电荷  
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 780-784
Authors:  任迪远;  陆妩;  余学锋;  郭旗;  张国强;  胡浴红;  王明刚;  赵文魁
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注fcmos运算放大器  电离辐照  跨导