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辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN106840613B, 公开日期: 2018-10-12,
Inventors:  李豫东;  冯婕;  马林东;  文林;  周东;  郭旗
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基于递归算法的图像传感器单粒子效应瞬态亮斑识别方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108537809A, 公开日期: 2018-09-14,
Inventors:  文林;  李豫东;  冯婕;  周东;  张兴尧;  郭旗
Favorite  |  View/Download:2/0  |  Submit date:2019/08/06
一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN107197236B, 公开日期: 2018-08-14,
Inventors:  文林;  李豫东;  冯婕;  王田珲;  于新;  周东;  郭旗
Favorite  |  View/Download:6/0  |  Submit date:2019/08/06
基于锰掺杂硫化锌纳米晶的爆炸物传感器阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN105699438B, 公开日期: 2018-03-23,
Inventors:  吴钊峰;  周超玉;  祖佰祎;  窦新存
Favorite  |  View/Download:7/0  |  Submit date:2019/08/07
不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 67-70
Authors:  李豫东;  文林;  郭旗;  何承发;  周东;  冯婕;  张兴尧;  于新
Adobe PDF(727Kb)  |  Favorite  |  View/Download:42/0  |  Submit date:2018/07/24
质子  电荷耦合器件  辐射效应  注量率  缺陷  
Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 7, 页码: 1-4
Authors:  Zhang, X (Zhang, Xiang);  Li, YD (Li, Yu-Dong);  Wen, L (Wen, Lin);  Zhou, D (Zhou, Dong);  Feng, J (Feng, Jie);  Ma, LD (Ma, Lin-Dong);  Wang, TH (Wang, Tian-Hui);  Cai, YL (Cai, Yu-Long);  Wang, ZM (Wang, Zhi-Ming);  Guo, Q (Guo, Qi)
Adobe PDF(740Kb)  |  Favorite  |  View/Download:66/0  |  Submit date:2018/08/14
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
Authors:  Ma, T (Ma, Teng);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Zhou, H (Zhou, Hang);  Su, DD (Su, Dandan);  Guo, Q (Guo, Qi)
Adobe PDF(589Kb)  |  Favorite  |  View/Download:47/1  |  Submit date:2018/03/14
Reliability  Proton Irradiation  Radiation Induced Leakage Current (Rilc)  Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)  Total Ionizing Does (Tid)  
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1320Kb)  |  Favorite  |  View/Download:81/0  |  Submit date:2018/07/06
65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(1083Kb)  |  Favorite  |  View/Download:41/0  |  Submit date:2018/03/19
65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
Authors:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Favorite  |  View/Download:24/0  |  Submit date:2018/10/18
场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线