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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
Effects of proton irradiation on upright metamorphic GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells 期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 185, 期号: 10, 页码: 36-44
Authors:  Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ];  Fang, L (Fang, L.)[ 2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 1 ];  Zhang, QM (Zhang, Q. M.)[ 2 ];  Li, ZH (Li, Z. H.)[ 1,3 ];  Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1,3 ];  Sailai, M (Sailai, M.)[ 1 ];  Liu, HT (Liu, H. T.)[ 1 ];  Guo, Q (Guo, Q.)[ 1 ];  Gao, W (Gao, W.)[ 2 ];  Gao, H (Gao, H.)[ 2 ];  Sun, Q (Sun, Q.)[ 2 ]
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Upright Metamorphic  Solar Cell  Proton Irradiation  Degradation  Srim  
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  郭旗;  余学峰
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纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性  
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
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绝缘体上硅  电离辐射  热载流子