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总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
Adobe PDF(808Kb)  |  Favorite  |  View/Download:130/0  |  Submit date:2016/06/02
绝缘体上硅  电离辐射  热载流子