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质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  任迪远;  曾骏哲;  玛丽娅
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互补金属氧化物半导体有源像素传感器  暗信号  质子辐射  位移效应  
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180
Authors:  曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
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电荷耦合器件  质子辐照  中子辐照  输运仿真  
In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  艾尔肯;  王海娇;  汪波;  曾骏哲
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In0.53ga0.47as/in p  量子阱  电子束辐照  光致发光谱  
电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 225-232
Authors:  曾骏哲;  何承发;  李豫东;  郭旗;  文林;  汪波;  玛丽娅;  王海娇
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电荷耦合器件  质子辐照  位移效应  输运仿真