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星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果
新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 2015
Accomplishers:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  何承发;  文林;  孙静;  李豫东;  崔江维;  吕小龙;  胡江生;  王嘉
Favorite  |  View/Download:36/0  |  Submit date:2017/08/08
一种基于静态随机存储器的辐照偏置系统 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103971752A, 公开日期: 2014-08-06,
Inventors:  余学峰;  丛忠超;  郭旗;  崔江维;  郑齐文;  孙静;  周航;  汪波
Favorite  |  View/Download:3/0  |  Submit date:2019/08/09
基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103645430A, 公开日期: 2014-03-19,
Inventors:  郭红霞;  郭旗;  张晋新;  文林;  陆妩;  余学峰;  何承发;  崔江维;  孙静;  席善斌;  邓伟;  王信
Favorite  |  View/Download:5/0  |  Submit date:2019/08/10
Online and offline test method of total dose radiation damage on static random access memory 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 8, 页码: 329-335
Authors:  Cong, Zhong-Chao;  Yu, Xue-Feng;  Cui, Jiang-Wei;  Zheng, Qi-Wen;  Guo, Qi;  Sun, Jing;  Wang, Bo;  Ma, Wu-Ying;  Ma, Li-Ya;  Zhou, Hang
Adobe PDF(3161Kb)  |  Favorite  |  View/Download:158/0  |  Submit date:2014/11/11
Online-test  Offline-test  Static Random Access Memory  Functional Test  
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
Authors:  孙静;  郭旗;  张军;  任迪远;  陆妩;  余学锋;  文林;  王改丽;  郑玉展
Adobe PDF(269Kb)  |  Favorite  |  View/Download:212/14  |  Submit date:2012/11/29
Pmosfet  剂量计  剂量率  阈值响应  灵敏度  
CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较 会议论文
, 沈阳, 2009-07-01
Authors:  王改丽;  余学峰;  任迪远;  郑玉展;  孙静;  文林;  高博;  李茂顺;  崔江维
Adobe PDF(332Kb)  |  Favorite  |  View/Download:259/2  |  Submit date:2013/04/09
互补金属氧化物半导体  总剂量辐射  漏电流  响应特性  抗辐射能力  
国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  刘刚;  王义元;  孙静;  文林;  李茂顺;  崔江维
Adobe PDF(668Kb)  |  Favorite  |  View/Download:164/2  |  Submit date:2013/04/09
Vdmos器件  总剂量  辐射效应  退火效应