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一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN104853117B, 公开日期: 2018-03-20,
Inventors:  郭旗;  王帆;  李豫东;  汪波;  张兴尧;  何承发;  文林;  陆妩;  施炜雷;  孙静;  李小龙;  余德昭;  武大猷;  玛利亚·黑尼
Favorite  |  View/Download:6/0  |  Submit date:2019/08/08
星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果
新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 2015
Accomplishers:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  何承发;  文林;  孙静;  李豫东;  崔江维;  吕小龙;  胡江生;  王嘉
Favorite  |  View/Download:36/0  |  Submit date:2017/08/08
一种用于横向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103926519A, 公开日期: 2014-07-16,
Inventors:  陆妩;  郭旗;  马武英;  王信;  孙静;  文林;  崔江维
Favorite  |  View/Download:2/0  |  Submit date:2019/08/09
基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103645430A, 公开日期: 2014-03-19,
Inventors:  郭红霞;  郭旗;  张晋新;  文林;  陆妩;  余学峰;  何承发;  崔江维;  孙静;  席善斌;  邓伟;  王信
Favorite  |  View/Download:5/0  |  Submit date:2019/08/10
Influence of channel length and layout on TID for 0.18 mu m NMOS transistors 期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2013, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 20-25
Authors:  Wu Xue;  Lu Wu;  Wang Xin;  Guo Qi;  He Chengfa;  Li Yudong;  Xi Shanbin;  Sun Jing;  Wen Lin
Adobe PDF(617Kb)  |  Favorite  |  View/Download:135/0  |  Submit date:2014/11/11
Sces  Dibl  Clm  Enclosed-layout  
氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 104-108
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
Adobe PDF(670Kb)  |  Favorite  |  View/Download:236/16  |  Submit date:2012/11/29
Npn双极晶体管  60coγ辐照  氧化层厚度  剂量率效应  
中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷 期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 7, 页码: 350-355
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
Adobe PDF(626Kb)  |  Favorite  |  View/Download:254/8  |  Submit date:2012/11/29
中带电压法  栅控  横向pnp双极晶体管  电荷分离  
栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 11, 页码: 827-832
Authors:  席善斌;  陆妩;  任迪远;  王志宽;  周东;  文林;  孙静
Adobe PDF(983Kb)  |  Favorite  |  View/Download:163/2  |  Submit date:2013/11/07
Pnp双极晶体管  60co-gamma辐照  辐照感生电荷  电荷分离  
氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响 会议论文
, 三亚, 2011-11-01
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
Adobe PDF(296Kb)  |  Favorite  |  View/Download:193/1  |  Submit date:2013/04/09
Npn双极晶体管  辐射效应  氧化层厚度  低剂量率  退火特性  
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
Authors:  孙静;  郭旗;  张军;  任迪远;  陆妩;  余学锋;  文林;  王改丽;  郑玉展
Adobe PDF(269Kb)  |  Favorite  |  View/Download:212/14  |  Submit date:2012/11/29
Pmosfet  剂量计  剂量率  阈值响应  灵敏度