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氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响 会议论文
, 三亚, 2011-11-01
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
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Npn双极晶体管  辐射效应  氧化层厚度  低剂量率  退火特性  
CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较 会议论文
, 沈阳, 2009-07-01
Authors:  王改丽;  余学峰;  任迪远;  郑玉展;  孙静;  文林;  高博;  李茂顺;  崔江维
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互补金属氧化物半导体  总剂量辐射  漏电流  响应特性  抗辐射能力  
国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  刘刚;  王义元;  孙静;  文林;  李茂顺;  崔江维
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Vdmos器件  总剂量  辐射效应  退火效应