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CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较 会议论文
, 沈阳, 2009-07-01
Authors:  王改丽;  余学峰;  任迪远;  郑玉展;  孙静;  文林;  高博;  李茂顺;  崔江维
Adobe PDF(332Kb)  |  Favorite  |  View/Download:259/2  |  Submit date:2013/04/09
互补金属氧化物半导体  总剂量辐射  漏电流  响应特性  抗辐射能力