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质子辐射导致CCD热像素产生的机制研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 115-119+125
Authors:  刘元;  文林;  李豫东;  何承发;  郭旗;  孙静;  冯婕;  曾俊哲;  马林东;  张翔;  王田珲
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电荷耦合器件  质子辐射效应  热像素  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
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深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(508Kb)  |  Favorite  |  View/Download:85/0  |  Submit date:2016/06/07
深亚微米  Nmosfet  总剂量效应  窄沟效应  
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
Authors:  孙静;  郭旗;  张军;  任迪远;  陆妩;  余学锋;  文林;  王改丽;  郑玉展
Adobe PDF(269Kb)  |  Favorite  |  View/Download:212/14  |  Submit date:2012/11/29
Pmosfet  剂量计  剂量率  阈值响应  灵敏度