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双极电压比较器高低剂量率辐照损伤特性 期刊论文
核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 13-19
Authors:  贾金成;  李小龙;  陆妩;  孙静;  王信;  刘默寒;  魏昕宇;  姚帅;  郭旗
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双极电压比较器  60Co-γ辐照  剂量率影响  
辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响 期刊论文
核技术, 2016, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 31-36
Authors:  孙静;  陆妩;  邓伟;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极线性稳压器  辐射效应  辐照温度  
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
Adobe PDF(1646Kb)  |  Favorite  |  View/Download:128/0  |  Submit date:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 104-108
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  氧化层厚度  剂量率效应  
栅控横向PNP双极晶体管电离辐射效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 11, 页码: 827-832
Authors:  席善斌;  陆妩;  任迪远;  王志宽;  周东;  文林;  孙静
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Pnp双极晶体管  60co-gamma辐照  辐照感生电荷  电荷分离  
不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 205-208
Authors:  席善斌;  王志宽;  陆妩;  王义元;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60co-γ辐照  基区掺杂浓度  辐照偏置  
12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674
Authors:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情;  卢健;  于新;  胡天乐
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Bicmos  模数转换器  剂量率  60coγ辐照  
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
Authors:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维;  周东;  许发月;  席善斌;  王飞
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Pdsoi  Sram  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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Jfet输入双极运算放大器  60coγ辐照  剂量率效应  退火  
双极晶体管不同剂量率的辐射效应和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 925-928
Authors:  陆妩;  余学锋;  任迪远;  艾尔肯;  郭旗
Adobe PDF(194Kb)  |  Favorite  |  View/Download:238/11  |  Submit date:2012/11/29
双极晶体管  60coγ辐照  剂量率效应  退火