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3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:31/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
Authors:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东;  李珍;  王昆黍;  祝伟明;  宣明
Adobe PDF(2548Kb)  |  Favorite  |  View/Download:52/1  |  Submit date:2019/07/01
探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理  
CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48
Authors:  于新;  荀明珠;  郭旗;  何承发;  李豫东;  文林;  张兴尧;  周东
Adobe PDF(938Kb)  |  Favorite  |  View/Download:29/0  |  Submit date:2019/07/29
位移损伤效应  非电离能量损失  CCD  CMOS  
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
Authors:  马林东;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2018/11/19
Cmos有源像素传感器  总剂量效应  暗电流  
CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理 期刊论文
光学精密工程, 2017, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 2676-2681
Authors:  冯婕;  李豫东;  文林;  周东;  马林东
Adobe PDF(327Kb)  |  Favorite  |  View/Download:81/0  |  Submit date:2017/11/20
Cmos图像传感器  辐照  光子转移曲线  转换增益  
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 182-187
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  汪波
Adobe PDF(599Kb)  |  Favorite  |  View/Download:107/1  |  Submit date:2017/02/23
电子辐照  Cmos有源像素传感器  暗信号  
Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  Wang, F (Wang Fan);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Wang, B (Wang Bo);  Zhang, XY (Zhang Xing-Yao);  Wen, L (Wen Lin);  He, CF (He Cheng-Fa)
Adobe PDF(455Kb)  |  Favorite  |  View/Download:85/0  |  Submit date:2016/12/13
Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor  Total Ionizing Dose Radiation Effect  Pinned Photodiode  Full Well Chargecapacity  
电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 44-49
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  文林
Adobe PDF(762Kb)  |  Favorite  |  View/Download:127/1  |  Submit date:2016/03/01
电荷耦合器件  中子辐照  位移效应  电荷转移效率  暗信号  
基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发
Adobe PDF(590Kb)  |  Favorite  |  View/Download:167/0  |  Submit date:2016/03/01
互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量  
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:152/0  |  Submit date:2016/06/02
Cmos图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度