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CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
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电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
Dark signal degradation in proton-irradiated complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  Wang, B (Wang Bo);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Liu, CJ (Liu Chang-Ju);  Wen, L (Wen Lin);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Zeng, JZ (Zeng Jun-Zhe);  Ma, LY (Ma Li-Ya)
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Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor  Dark Signal  Proton Radiation  Displacement Effect  
质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  任迪远;  曾骏哲;  玛丽娅
Adobe PDF(754Kb)  |  Favorite  |  View/Download:252/0  |  Submit date:2015/06/26
互补金属氧化物半导体有源像素传感器  暗信号  质子辐射  位移效应  
CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应 期刊论文
强激光与粒子束, 2015, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 210-214
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  文林;  孙静;  王帆;  王帆;  玛丽娅
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Cmos有源像素传感器  中子辐照  像素单元  饱和输出电压  位移效应  
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  孙静;  玛丽娅
Adobe PDF(1122Kb)  |  Favorite  |  View/Download:149/0  |  Submit date:2015/03/25
电离总剂量辐射效应  Cmos有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  Locos隔离