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8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理 期刊论文
光学学报, 2019, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 41-49
Authors:  汪波;  王立恒;  刘伟鑫;  孔泽斌;  李豫东;  李珍;  王昆黍;  祝伟明;  宣明
Adobe PDF(2548Kb)  |  Favorite  |  View/Download:52/1  |  Submit date:2019/07/01
探测器  互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器  重离子辐照  单粒子翻转  损伤机理  
CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理 期刊论文
光学精密工程, 2017, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 2676-2681
Authors:  冯婕;  李豫东;  文林;  周东;  马林东
Adobe PDF(327Kb)  |  Favorite  |  View/Download:82/0  |  Submit date:2017/11/20
Cmos图像传感器  辐照  光子转移曲线  转换增益  
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 182-187
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  汪波
Adobe PDF(599Kb)  |  Favorite  |  View/Download:107/1  |  Submit date:2017/02/23
电子辐照  Cmos有源像素传感器  暗信号  
电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 44-49
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏;  文林
Adobe PDF(762Kb)  |  Favorite  |  View/Download:127/1  |  Submit date:2016/03/01
电荷耦合器件  中子辐照  位移效应  电荷转移效率  暗信号  
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:156/0  |  Submit date:2016/06/02
Cmos图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度  
电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 711-719
Authors:  武大猷;  文林;  汪朝敏;  何承发;  郭旗;  李豫东;  曾俊哲;  汪波;  刘元
Adobe PDF(678Kb)  |  Favorite  |  View/Download:100/0  |  Submit date:2016/12/03
电荷耦合器件  暗信号  低剂量率损伤增强效应  暗场像素统计  
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  孙静;  玛丽娅
Adobe PDF(1122Kb)  |  Favorite  |  View/Download:149/0  |  Submit date:2015/03/25
电离总剂量辐射效应  Cmos有源像素传感器  饱和输出信号  像素单元结构  Locos隔离  
CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统 期刊论文
光学精密工程, 2013, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 2778-2784
Authors:  李豫东;  汪波;  郭旗;  玛丽娅;  任建伟
Adobe PDF(862Kb)  |  Favorite  |  View/Download:173/0  |  Submit date:2014/11/11
辐射效应  抗辐射性能