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质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析 会议论文
, 中国甘肃兰州, 2014-08-13
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  任迪远;  汪波;  玛丽娅
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Ccd  质子辐照  电离效应  位移损伤  体缺陷  
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 会议论文
, 中国甘肃兰州, 2014-08-13
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  汪波
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Cmos有源像素传感器  电子辐照  电离效应  暗电流  氧化物陷阱电荷  界面态缺陷  
星载DC/DC电源转换器总剂量效应研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  吾勤之;  刘伟鑫;  李豫东;  李茂顺;  崔江维;  王义元
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Dc/dc电源转换器  60coγ  辐射损伤效应  退火效应  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  崔江维;  李茂顺;  李明;  王义元
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Sram型fpga  60coγ  总剂量辐射损伤效应  Cmos单元  
线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应 会议论文
, 苏州, 2010-10-01
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  高博;  席善斌;  许发月
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线性稳压器  电离辐射  剂量率效应  偏置  
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 会议论文
, 苏州, 2010-10-01
Authors:  席善斌;  陆妩;  郑玉展;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  基区掺杂浓度  辐照损伤  退火特性