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基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 180-185
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发
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互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量  
电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 13, 页码: 302-308
Authors:  姜柯;  陆妩;  胡天乐;  王信;  郭旗;  何承发;  刘默涵;  李小龙
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Npn输入双极运算放大器  电子辐射  辐射效应  退火  
双极电压比较器电离辐射损伤及剂量率效应分析 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 2, 页码: 229-235
Authors:  马武英;  陆妩;  郭旗;  何承发;  吴雪;  王信;  丛忠超;  汪波;  玛丽娅
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双极电压比较器  60 Coγ辐照  剂量率效应  辐射损伤  Bipolar Voltage Comparator  60coγ Irradiation  Dose Rate Effect  Ionization Damage  
60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 5, 页码: 313-319
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  玛丽娅;  孙静;  王海娇;  丛忠超;  马武英
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Cmos有源像素传感器  暗信号  60 Co-γ射线  损伤机理  Cmos Aps  Dark Signal  60 Coγ-rays  Damage Mechanism  
栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: 226-231
Authors:  马武英;  王志宽;  陆妩;  席善斌;  郭旗;  何承发;  王信;  刘默寒;  姜柯
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栅控双极pnp晶体管  60 Coγ辐照  辐射损伤  Gclpnp Bjts  60coγ Irradiation  Ionizing Damage  
PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 325-330
Authors:  胡天乐;  陆妩;  席善斌;  郭旗;  何承发;  吴雪;  王信
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Pnp输入双极运算放大器  电子和60coγ源  偏置条件  退火  
静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 442-447
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  崔江维;  李茂顺;  李明;  王义元
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60coγ  总剂量辐射损伤效应  Sram型fpga  Cmos单元  
p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博;  李明;  王义元
Adobe PDF(352Kb)  |  Favorite  |  View/Download:185/17  |  Submit date:2012/11/29
P型金属氧化物半导体场效应晶体管  60coγ射线  电离辐射损伤  低剂量率辐射损伤增强效应