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辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响 期刊论文
核技术, 2016, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 31-36
Authors:  孙静;  陆妩;  邓伟;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极线性稳压器  辐射效应  辐照温度  
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
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锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 104-108
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  氧化层厚度  剂量率效应  
不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 601-605
Authors:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维;  郑齐文;  胥佳灵
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静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象  
PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的60Co γ辐照高温退火评估方法 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 810-814
Authors:  许发月;  陆妩;  王义元;  席善斌;  李明;  王飞;  周东
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双极运算放大器  60coγ辐照  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  
不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 205-208
Authors:  席善斌;  王志宽;  陆妩;  王义元;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60co-γ辐照  基区掺杂浓度  辐照偏置  
PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456
Authors:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维;  周东;  许发月;  席善斌;  王飞
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Pdsoi  Sram  总剂量效应  功耗电流  退火效应  
不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 274-277
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
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Npn双极晶体管  低剂量率  偏置  60coγ辐照  
正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 357-361
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  陈睿;  费武雄
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Jfet输入运算放大器  正常工作状态  零偏置状态  辐射损伤  
12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应 期刊论文
核技术, 2008, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 685-688
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
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数模转换器  辐射效应  室温退火  Eldrs