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PNP输入双极运算放大器的辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 229-233
Authors:  许发月;  陆妩;  王义元;  席善斌;  李明;  王飞;  周东
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Pnp输入双极运算放大器  低剂量率  偏置  60coγ辐照  
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2011, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 461-466
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  陈睿;  费武雄
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电离辐射  电流反馈运算放大器  偏置  低剂量率损伤增强效应  
电荷耦合器件的~(60)Co γ射线辐照损伤退火效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 603-607
Authors:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  兰博;  李茂顺
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商用ccd  氧化物电荷  界面态  退火效应  
电荷耦合器件的~(60)Coγ射线和电子辐射损伤效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 124-128
Authors:  李鹏伟;  郭旗;  任迪远;  于跃;  王义元;  高博
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电荷耦合器件  位移损伤  Γ射线  电子辐照  
变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1493-1497
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云;  王志宽;  杨永晖
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Npn双极晶体管  60coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强  变温辐照  加速评估方法  
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1252-1256
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博;  崔江维
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模数转换器  60coγ辐照  室温退火  偏置条件  
工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 1, 页码: 114-120
Authors:  陆妩;  郑玉展;  任迪远;  郭旗;  余学峰
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双极晶体管  60coγ辐照  剂量率效应  发射极面积  掺杂浓度  
国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 1385-1389
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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总剂量辐照效应  退火  亚阈曲线  
双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法 期刊论文
原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 9, 页码: 769-775
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰
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双极运算放大器  60coγ辐照  低剂量率辐照损伤增强效应  加速评估方法  
不同60Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应 期刊论文
原子能科学技术, 2009, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 951-955
Authors:  王义元;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  高博;  李鹏伟;  于跃
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双极数模转换器  剂量率  电离效应  低剂量率损伤增强效应