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超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263
Authors:  郑齐文;  崔江维;  王汉宁;  周航;  余徳昭;  魏莹;  苏丹丹
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总剂量辐射效应  超深亚微米  金属氧化物半导体场效应晶体管  静态随机存储器  
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
Authors:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹
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绝缘体上硅  电离辐射  热载流子  
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
Authors:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙;  恩云飞;  刘默寒
Adobe PDF(748Kb)  |  Favorite  |  View/Download:138/0  |  Submit date:2015/06/26
绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声  
质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  任迪远;  曾骏哲;  玛丽娅
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互补金属氧化物半导体有源像素传感器  暗信号  质子辐射  位移效应  
电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 13, 页码: 302-308
Authors:  姜柯;  陆妩;  胡天乐;  王信;  郭旗;  何承发;  刘默涵;  李小龙
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Npn输入双极运算放大器  电子辐射  辐射效应  退火  
质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 19, 页码: 173-180
Authors:  曾骏哲;  李豫东;  文林;  何承发;  郭旗;  汪波;  玛丽娅;  魏莹;  王海娇;  武大猷;  王帆;  周航
Adobe PDF(648Kb)  |  Favorite  |  View/Download:123/1  |  Submit date:2016/06/07
电荷耦合器件  质子辐照  中子辐照  输运仿真  
质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 2, 页码: 257-263
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  任迪远;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(633Kb)  |  Favorite  |  View/Download:163/1  |  Submit date:2015/03/04
电荷耦合器件  质子辐照  电离效应  位移损伤  
In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  艾尔肯;  王海娇;  汪波;  曾骏哲
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In0.53ga0.47as/in p  量子阱  电子束辐照  光致发光谱  
电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 225-232
Authors:  曾骏哲;  何承发;  李豫东;  郭旗;  文林;  汪波;  玛丽娅;  王海娇
Adobe PDF(630Kb)  |  Favorite  |  View/Download:136/1  |  Submit date:2015/06/26
电荷耦合器件  质子辐照  位移效应  输运仿真  
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 24, 页码: 446-453
Authors:  张晋新;  贺朝会;  郭红霞;  唐杜;  熊涔;  李培;  王信
Adobe PDF(903Kb)  |  Favorite  |  View/Download:131/0  |  Submit date:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管  不同偏置  单粒子效应  三维数值仿真