XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-8 of 8 Help

Filters    
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
辐照温度对双极线性稳压器的辐射效应影响 期刊论文
核技术, 2016, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 31-36
Authors:  孙静;  陆妩;  邓伟;  郭旗;  余学峰;  何承发
Adobe PDF(1075Kb)  |  Favorite  |  View/Download:128/1  |  Submit date:2016/06/02
双极线性稳压器  辐射效应  辐照温度  
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
Adobe PDF(1646Kb)  |  Favorite  |  View/Download:128/0  |  Submit date:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
氧化层厚度对NPN双极管辐射损伤的影响 期刊论文
核技术, 2012, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 104-108
Authors:  席善斌;  陆妩;  王志宽;  任迪远;  周东;  文林;  孙静
Adobe PDF(670Kb)  |  Favorite  |  View/Download:236/16  |  Submit date:2012/11/29
Npn双极晶体管  60coγ辐照  氧化层厚度  剂量率效应  
不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响 期刊论文
核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 205-208
Authors:  席善斌;  王志宽;  陆妩;  王义元;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  杨永晖
Adobe PDF(599Kb)  |  Favorite  |  View/Download:201/12  |  Submit date:2012/11/29
Npn双极晶体管  60co-γ辐照  基区掺杂浓度  辐照偏置  
不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 274-277
Authors:  费武雄;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  王志宽;  杨永晖;  李茂顺;  兰博;  崔江维;  赵云
Adobe PDF(985Kb)  |  Favorite  |  View/Download:227/8  |  Submit date:2012/11/29
Npn双极晶体管  低剂量率  偏置  60coγ辐照  
正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 357-361
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  陈睿;  费武雄
Adobe PDF(668Kb)  |  Favorite  |  View/Download:141/14  |  Submit date:2012/11/29
Jfet输入运算放大器  正常工作状态  零偏置状态  辐射损伤  
一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性 期刊论文
核技术, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 37-39
Authors:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘刚;  高嵩;  肖志斌
Adobe PDF(242Kb)  |  Favorite  |  View/Download:226/12  |  Submit date:2012/11/29
多结太阳电池  Gainp/gaas/ge  电子辐照  辐照效应  光谱响应  
栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 227-230
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学锋;  郑毓峰;  张军
Adobe PDF(141Kb)  |  Favorite  |  View/Download:207/12  |  Submit date:2012/11/29
Cmos运算放大器  跨导  栅氧层  氧化物电荷  界面态