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总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(418Kb)  |  Favorite  |  View/Download:126/0  |  Submit date:2015/09/09
深亚微米  Nmosfet  电子辐照  总剂量效应  
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅
Adobe PDF(508Kb)  |  Favorite  |  View/Download:85/0  |  Submit date:2016/06/07
深亚微米  Nmosfet  总剂量效应  窄沟效应  
不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应 期刊论文
微电子学, 2011, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 128-132
Authors:  李茂顺;  余学峰;  任迪远;  郭旗;  李豫东;  高博;  崔江维;  兰博;  费武雄;  陈睿;  赵云
Adobe PDF(389Kb)  |  Favorite  |  View/Download:230/15  |  Submit date:2012/11/29
静态随机存取存储器  总剂量辐照  偏置条件  
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响 期刊论文
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 128-131
Authors:  孙静;  郭旗;  张军;  任迪远;  陆妩;  余学锋;  文林;  王改丽;  郑玉展
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Pmosfet  剂量计  剂量率  阈值响应  灵敏度  
80C31单片机电路总剂量效应研究 期刊论文
微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 584-586,590
Authors:  匡治兵;  郭旗;  任迪远;  李爱武;  汪东
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单片机  60coγ辐照  辐射损伤  退火