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空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
Adobe PDF(2664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:37/0  |  Submit date:2018/07/06
金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
Authors:  Ma, T (Ma, Teng);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Zhou, H (Zhou, Hang);  Su, DD (Su, Dandan);  Guo, Q (Guo, Qi)
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Reliability  Proton Irradiation  Radiation Induced Leakage Current (Rilc)  Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)  Total Ionizing Does (Tid)  
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
Authors:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  魏莹;  余学峰;  郭旗
Favorite  |  View/Download:24/0  |  Submit date:2018/10/18
场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(793Kb)  |  Favorite  |  View/Download:30/0  |  Submit date:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
Adobe PDF(3489Kb)  |  Favorite  |  View/Download:60/0  |  Submit date:2017/09/26
Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
Adobe PDF(6461Kb)  |  Favorite  |  View/Download:57/0  |  Submit date:2017/09/26
Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
An Increase in TDDB Lifetime of Partially Depleted SOI Devices Induced by Proton Irradiation 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 34, 期号: 7, 页码: 181-184
Authors:  Ma, T (Ma, Teng);  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Zhou, H (Zhou, Hang);  Su, DD (Su, Dan-Dan);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Guo, Q (Guo, Qi)
Adobe PDF(686Kb)  |  Favorite  |  View/Download:31/0  |  Submit date:2017/12/14
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
Adobe PDF(1666Kb)  |  Favorite  |  View/Download:142/0  |  Submit date:2016/09/27
Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
Total dose responses and reliability issues of 65 nm NMOSFETs 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 133-139
Authors:  Yu DZ(余德昭);  Zheng QW(郑齐文);  Cui JW(崔江维);  Zhou H(周航);  Yu XF(余学峰);  Guo Q(郭旗)
Adobe PDF(743Kb)  |  Favorite  |  View/Download:66/0  |  Submit date:2017/10/12
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:191/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法