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The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
Authors:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ];  Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1 ];  Wang, L (Wang, Liang)[ 3 ];  Liu, JQ (Liu, Jiaqi)[ 3 ];  He, CF (He, Chengfa)[ 1 ];  Guo, Q (Guo, Qi)
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Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
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大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
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新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数  
微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射效应及评估方法研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  丛忠超
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Sram  测试系统  辐照偏置  静态功耗电流  失效模式  
SbTe基相变存储材料的辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  周东
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相变材料  总剂量辐射效应  位移效应  电子束诱导相变  激光诱导相变  
SiGe HBT单粒子效应损伤机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  张晋新
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锗硅异质结双极晶体管  单粒子效应  三维数值仿真  激光微束试验  电荷收集  敏感区域定位  
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  卢健
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Sram  大规模集成电路  不同偏置  总剂量辐射效应  辐射损伤  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
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超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
TDI-CCD辐射效应测试技术及总剂量效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  张乐情
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Tdi-ccd  60co-γ射线  电子辐照  辐射损伤  退火  
应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计 期刊论文
半导体技术, 2012, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 562-566
Authors:  张乐情;  郭旗;  李豫东;  卢健;  张兴尧;  胥佳灵;  于新
Adobe PDF(734Kb)  |  Favorite  |  View/Download:238/14  |  Submit date:2012/11/29
电荷耦合器件  辐射效应  现场可编程门阵列  通用测试电路  电离总剂量