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不同型号的星用Power MOSFET的辐射响应特性 期刊论文
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 347-349,334
Authors:  刘刚;  余学锋;  任迪远;  牛振红;  高嵩
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Powermosfet  阈值电压  总剂量辐射  击穿电压  
双极线性集成电路的低剂量率辐射损伤增强效应及其加速评估方法研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2006
Authors:  高嵩
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双极线性集成电路  低剂量率  辐射损伤  加速评估方法  Eldrs  
应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2006, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 201-204
Authors:  刘刚;  余学锋;  任迪远;  牛振红;  高嵩
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金属氧化物半导体场效应功率管  辐射响应  退火特性