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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
Authors:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ];  Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ];  Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1 ];  Wei, Y (Wei, Ying)[ 1 ];  Wang, L (Wang, Liang)[ 3 ];  Liu, JQ (Liu, Jiaqi)[ 3 ];  He, CF (He, Chengfa)[ 1 ];  Guo, Q (Guo, Qi)
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Charge Sharing  Single-event Upset (Seu)  Static Random Access Memory  Total Ionizing Dose (Tid)  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
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Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
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Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
Total dose responses and reliability issues of 65 nm NMOSFETs 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 133-139
Authors:  Yu DZ(余德昭);  Zheng QW(郑齐文);  Cui JW(崔江维);  Zhou H(周航);  Yu XF(余学峰);  Guo Q(郭旗)
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新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
Adobe PDF(2943Kb)  |  Favorite  |  View/Download:325/2  |  Submit date:2014/08/05
新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
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超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  高博
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Sram型fpga器件  总剂量效应  辐射损伤  评估技术  试验方法  
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  李茂顺
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Sram  总剂量辐射效应  敏感参数  偏置条件  剂量率  
不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 7, 页码: 543-546
Authors:  兰博;  郭旗;  孙静;  崔江维;  李茂顺;  费武雄;  陈睿;  赵云
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Pmosfets  偏置  剂量率  时间相关效应  低剂量率损伤增强效应