XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-2 of 2 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN108037438A, 公开日期: 2018-05-15,
Inventors:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰;  郭旗;  陆妩;  何承发;  任迪远
Favorite  |  View/Download:6/0  |  Submit date:2019/08/06
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  郭旗;  余学峰
Adobe PDF(1113Kb)  |  Favorite  |  View/Download:26/0  |  Submit date:2018/01/18
纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性