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纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  郭旗;  余学峰
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纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性  
新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
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新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数  
星用超深亚微米CMOS器件辐射效应及其可靠性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  崔江维
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超深亚微米器件  总剂量辐射  热载流子效应  负偏置温度不稳定性  相互作用  
Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6
Authors:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Cui Jiang-Wei;  Lan Bo;  Li Ming;  Wang Yi-Yuan;  Yu, XF
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P-type Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor  Co-60 Gamma-ray  Total-dose Irradiation Damage Effects  Enhanced Low Dose Rate Sensitivity  
p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博;  李明;  王义元
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P型金属氧化物半导体场效应晶体管  60coγ射线  电离辐射损伤  低剂量率辐射损伤增强效应