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CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
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Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
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Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
60Co-γ射线和电子束对CCD辐射效应的比较研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  武大猷
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电荷耦合器件  60co-γ辐照  电子辐照  辐射损伤  低剂量率损伤增强效应  
Dark signal degradation in proton-irradiated complementary metal oxide semiconductor active pixel sensor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  Wang, B (Wang Bo);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Liu, CJ (Liu Chang-Ju);  Wen, L (Wen Lin);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Zeng, JZ (Zeng Jun-Zhe);  Ma, LY (Ma Li-Ya)
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Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor  Dark Signal  Proton Radiation  Displacement Effect  
质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 193-199
Authors:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  任迪远;  曾骏哲;  玛丽娅
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互补金属氧化物半导体有源像素传感器  暗信号  质子辐射  位移效应  
补偿硅材料深能级(Au、Cu、Mn、Ni、Pt)掺杂制备及热敏特性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  范艳伟
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单晶硅  深能级杂质  掺杂  热敏特性  
Fe、Cu掺杂及多重掺杂单晶硅材料制备及性能研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  周步康
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单晶硅  深能级杂质  单掺杂  多重掺杂  电学特性  热敏特性  
铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响 期刊论文
电子元件与材料, 2013, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 10-13
Authors:  周步康;  范艳伟;  陈朝阳
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P型硅  N型硅  深能级杂质  Fe  电阻率  补偿度  
基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究 会议论文
, 成都, 2013-11-15
Authors:  胡绍刚;  张兴尧;  顾野
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阻变存储器  抗辐照特性  二氧化铪  伽马射线  
低能电子束非电离能损(NIEL)的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  于新
Adobe PDF(2704Kb)  |  Favorite  |  View/Download:155/0  |  Submit date:2016/05/10
Niel  位移损伤效应  林哈德因子  P-i-n光电二极管  Led