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双多晶自对准NPN管的总剂量辐射效应研究 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 120-125
Authors:  贾金成;  陆妩;  吴雪;  张培健;  孙静;  王信;  李小龙;  刘默寒;  郭旗;  刘元
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双多晶自动准  Npn管  60co-γ辐射  辐射损伤  
基于国产双多晶自对准工艺的双极晶体管辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  贾金成
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双多晶自动准  双极晶体管  60co-γ辐射  基极  发射极尺寸  辐射损伤  Eldrs  
电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 711-719
Authors:  武大猷;  文林;  汪朝敏;  何承发;  郭旗;  李豫东;  曾俊哲;  汪波;  刘元
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电荷耦合器件  暗信号  低剂量率损伤增强效应  暗场像素统计  
基于新型双极测试结构的低剂量率辐照感生缺陷研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  席善斌
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低剂量率辐射损伤增强效应  栅控晶体管  电荷分离  损伤机理  竞争模型  
双极运算放大器ELDRS效应及加速评估方法的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  许发月
Adobe PDF(2275Kb)  |  Favorite  |  View/Download:80/0  |  Submit date:2016/05/24
双极运算放大器  低剂量率辐射损伤增强效应  加速评估方法  60coγ辐照  
SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  李明
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Soi  Sram  总剂量辐射效应  评估技术  实验方法  
Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 169-173
Authors:  Lu Wu;  Zheng Yu-Zhan;  Wang Yi-Yuan;  Ren Di-Yuan;  Guo Qi;  Wang Zhi-Kuan;  Wang Jian-An
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Npn Bipolar Junction Transistors  (60)Co-gamma Irradiation  Eldrs  Orientation Of Substrate  
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  李茂顺
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Sram  总剂量辐射效应  敏感参数  偏置条件  剂量率  
不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 期刊论文
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44增刊, 期号: 1, 页码: 533-537
Authors:  席善斌;  陆妩;  郑玉展;  许发月;  周东;  李明;  王飞;  王志宽;  杨永晖
Adobe PDF(1008Kb)  |  Favorite  |  View/Download:164/14  |  Submit date:2012/11/29
Npn双极晶体管  60coγ辐照  基区掺杂浓度  低剂量率辐照损伤增强效应  
Radiation effect of NPN BJTs under various base doping conditions 期刊论文
Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2010, 卷号: 44, 期号: UPPL. 1, 页码: 533-537
Authors:  Xi Shan-Bin;  Lu Wu;  Zheng Yu-Zhan;  Xu Fa-Yue;  Zhou Dong;  Li Ming;  Wang Fei;  Wang Zhi-Kuan;  Yang Yong-Hui
Adobe PDF(1008Kb)  |  Favorite  |  View/Download:199/5  |  Submit date:2012/11/29