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CCD及CMOS图像传感器的质子位移损伤等效分析 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 44-48
Authors:  于新;  荀明珠;  郭旗;  何承发;  李豫东;  文林;  张兴尧;  周东
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位移损伤效应  非电离能量损失  CCD  CMOS  
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  赵晓凡
Adobe PDF(3195Kb)  |  Favorite  |  View/Download:108/0  |  Submit date:2018/07/06
四结键合太阳能电池  位移损伤  少子扩散长度  辐射效应  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
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Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
Effects of proton irradiation on upright metamorphic GaInP/GaInAs/Ge triple junction solar cells 期刊论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 185, 期号: 10, 页码: 36-44
Authors:  Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ];  Fang, L (Fang, L.)[ 2 ];  Heini, M (Heini, M.)[ 1 ];  Zhang, QM (Zhang, Q. M.)[ 2 ];  Li, ZH (Li, Z. H.)[ 1,3 ];  Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1,3 ];  Sailai, M (Sailai, M.)[ 1 ];  Liu, HT (Liu, H. T.)[ 1 ];  Guo, Q (Guo, Q.)[ 1 ];  Gao, W (Gao, W.)[ 2 ];  Gao, H (Gao, H.)[ 2 ];  Sun, Q (Sun, Q.)[ 2 ]
Adobe PDF(2611Kb)  |  Favorite  |  View/Download:53/1  |  Submit date:2018/08/07
Upright Metamorphic  Solar Cell  Proton Irradiation  Degradation  Srim  
基于p‑i‑n结构的位移损伤剂量探测方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN104459372B, 公开日期: 2017-09-01,
Inventors:  于新;  何承发;  施炜雷;  郭旗;  文林;  张兴尧;  孙静;  李豫东
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科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
Adobe PDF(3212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:58/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  李占行
Adobe PDF(2989Kb)  |  Favorite  |  View/Download:67/0  |  Submit date:2017/09/26
晶格失配  位移损伤效应  位移损伤剂量  非电离能损  辐照退化  
行间转移电荷耦合器件位移损伤效应测试表征技术研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  刘元
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电荷耦合器件  辐射损伤  位移损伤效应  温度效应  热像素  
1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 463-469
Authors:  李占行;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼;  方亮;  高伟;  高慧;  孟宪松;  郭旗
Adobe PDF(2562Kb)  |  Favorite  |  View/Download:135/0  |  Submit date:2017/05/12
辐射效应  辐照退化  晶格匹配  晶格失配  三结太阳电池  
Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector 期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16
Authors:  Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ];  Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ];  Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ];  He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ];  Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ];  Zhang, XY (Zhang Xing-Yao)[ 1 ]
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Displacement damage  NIEL  P-i-n photodiode  Damage enhancement factor