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高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  李小龙
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双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
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金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1-9
Authors:  Li, XL (Li, Xiao-Long);  Lu, W (Lu, Wu);  Wang, X (Wang, Xin);  Yu, X (Yu, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Sun, J (Sun, Jing);  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  Yao, S (Yao, Shuai);  Wei, XY (Wei, Xin-Yu);  He, CF (He, Cheng-Fa)
Adobe PDF(950Kb)  |  Favorite  |  View/Download:35/0  |  Submit date:2018/05/14
Ionizing Radiation Damage  Enhanced Low Dose Rate Sensitivity (Eldrs)  Switched Temperature Irradiation  Gate-controlled Lateral Pnp Transistor (glPnp)  
Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116
Authors:  Ma, T (Ma, Teng);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Zhou, H (Zhou, Hang);  Su, DD (Su, Dandan);  Guo, Q (Guo, Qi)
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Reliability  Proton Irradiation  Radiation Induced Leakage Current (Rilc)  Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)  Total Ionizing Does (Tid)  
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
Authors:  马林东;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2018/11/19
Cmos有源像素传感器  总剂量效应  暗电流  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
Adobe PDF(3489Kb)  |  Favorite  |  View/Download:58/0  |  Submit date:2017/09/26
Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
Adobe PDF(3212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:57/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
Adobe PDF(6461Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2017/09/26
Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 828-834
Authors:  荀明珠;  李豫东;  郭旗;  何承发;  于新;  于钢;  文林;  张兴尧
Adobe PDF(1843Kb)  |  Favorite  |  View/Download:98/0  |  Submit date:2017/08/01
抗辐射加固  试验装置  晶圆级器件  X射线辐照  辐射效应  参数提取