XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-9 of 9 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王信
Adobe PDF(4026Kb)  |  Favorite  |  View/Download:90/0  |  Submit date:2016/09/27
线性稳压器的辐射效应及加速评估方法的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
Authors:  邓伟
Adobe PDF(3220Kb)  |  Favorite  |  View/Download:201/3  |  Submit date:2013/06/03
线性稳压器  低剂量率损伤增强效应加速评估方法线性稳压器  低剂量率损伤增强效应加速评估方法60 Co γ 辐照  
典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文
信息与电子工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 484-489
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
Adobe PDF(1169Kb)  |  Favorite  |  View/Download:223/14  |  Submit date:2012/11/29
双极类模拟电路  Cmos类电路  60coγ辐照  剂量率效应  
典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  王义元
Adobe PDF(2132Kb)  |  Favorite  |  View/Download:101/0  |  Submit date:2016/05/24
电离辐射  偏置条件  低剂量率损伤增强效应  模拟电路  数模/模数转换器  
The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 71-74
Authors:  Wang, Yiyuan;  Lu, Wu;  Ren, Diyuan;  Guo, Qi;  Yu, Xuefeng;  Gao, Bo
Adobe PDF(233Kb)  |  Favorite  |  View/Download:103/0  |  Submit date:2014/11/11
正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 357-361
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  陈睿;  费武雄
Adobe PDF(668Kb)  |  Favorite  |  View/Download:141/14  |  Submit date:2012/11/29
Jfet输入运算放大器  正常工作状态  零偏置状态  辐射损伤  
Annealing behavior of radiation damage in JFET-input operational amplifiers 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 60-64
Authors:  Zheng, Yuzhan;  Lu, Wu;  Ren, Diyuan;  Wang, Yiyuan;  Guo, Qi;  Yu, Xuefeng
Adobe PDF(147Kb)  |  Favorite  |  View/Download:131/0  |  Submit date:2014/11/11
Jfet-input Operational Amplifiers  Dose Rate  Radiation Damage  Annealing Behavior  
JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 627-630
Authors:  高嵩;  陆妩;  任迪远;  牛振红;  刘刚
Adobe PDF(305Kb)  |  Favorite  |  View/Download:170/13  |  Submit date:2012/11/29
运算放大器  结型场效应管  辐射损伤  低剂量率  加速评估  
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
Adobe PDF(209Kb)  |  Favorite  |  View/Download:214/15  |  Submit date:2012/11/29
Jfet输入双极运算放大器  60coγ辐照  剂量率效应  退火