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典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文
信息与电子工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 484-489
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极类模拟电路  Cmos类电路  60coγ辐照  剂量率效应  
典型双极模拟集成电路电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  王义元
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电离辐射  偏置条件  低剂量率损伤增强效应  模拟电路  数模/模数转换器  
正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤 期刊论文
核技术, 2010, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 357-361
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  陈睿;  费武雄
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Jfet输入运算放大器  正常工作状态  零偏置状态  辐射损伤  
工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  陈睿;  费武雄
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Jfet输入运算放大器  正常工作状态  零偏置状态  辐射损伤  
JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰
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Jfet  运算放大器  伽马射线辐射  剂量率  加速评估  
双极线性集成电路的低剂量率辐射损伤增强效应及其加速评估方法研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2006
Authors:  高嵩
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双极线性集成电路  低剂量率  辐射损伤  加速评估方法  Eldrs  
新型空间太阳电池电子辐照损伤机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2006
Authors:  牛振红
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Si 太阳电池  多结太阳电池  Gainp/gaas/ge  电子辐照  退火  电致发光  辐射损伤  
JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 627-630
Authors:  高嵩;  陆妩;  任迪远;  牛振红;  刘刚
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运算放大器  结型场效应管  辐射损伤  低剂量率  加速评估  
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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Jfet输入双极运算放大器  60coγ辐照  剂量率效应  退火  
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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运算放大器  60coγ辐照  退火  剂量率效应