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典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文
信息与电子工程, 2012, 卷号: 10, 期号: 4, 页码: 484-489
Authors:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗;  余学峰;  何承发
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双极类模拟电路  Cmos类电路  60coγ辐照  剂量率效应  
JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰
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Jfet  运算放大器  伽马射线辐射  剂量率  加速评估  
JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性 期刊论文
核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 755-760
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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Jfet输入双极运算放大器  60coγ辐照  剂量率效应  退火  
运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 1464-1468
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰;  艾尔肯
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运算放大器  60coγ辐照  退火  剂量率效应