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γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68
Authors:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  张翔
Adobe PDF(326Kb)  |  Favorite  |  View/Download:28/0  |  Submit date:2019/05/09
图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
Adobe PDF(2341Kb)  |  Favorite  |  View/Download:48/0  |  Submit date:2018/07/06
Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 316-320
Authors:  马林东;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:55/0  |  Submit date:2018/11/19
Cmos有源像素传感器  总剂量效应  暗电流  
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 182-187
Authors:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林;  汪波
Adobe PDF(599Kb)  |  Favorite  |  View/Download:107/1  |  Submit date:2017/02/23
电子辐照  Cmos有源像素传感器  暗信号  
InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  玛丽娅·黑尼
Adobe PDF(3593Kb)  |  Favorite  |  View/Download:132/0  |  Submit date:2016/12/19
Ingaas量子阱  量子点  辐射效应  位移损伤  
3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  汪波
Adobe PDF(3966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:667/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固  
CMOS图像传感器辐射效应的测试技术 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王帆
Adobe PDF(2290Kb)  |  Favorite  |  View/Download:280/0  |  Submit date:2016/09/27
Cmos图像传感器  测试方法  辐射效应  电离总剂量效应  位移损伤效应  Rts噪声  
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响 期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 332-337
Authors:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧
Adobe PDF(377Kb)  |  Favorite  |  View/Download:156/0  |  Submit date:2016/06/02
Cmos图像传感器  转换增益  满阱容量  暗电流  温度  
Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9
Authors:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi);  Ren, DY (Ren Di-Yuan);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Su, DD (Su Dan-Dan);  Yu, XF
Adobe PDF(619Kb)  |  Favorite  |  View/Download:68/0  |  Submit date:2016/12/12
Silicon-on-insulator  Ionizing Radiation  Hot Carriers  
Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 7
Authors:  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, HN (Wang Han-Ning);  Zhou, H (Zhou Hang);  Yu, DZ (Yu De-Zhao);  Wei, Y (Wei Ying);  Su, DD (Su Dan-Dan)
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Total Ionizing Dose Effects  Deep Sub-micron  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  Static Random Access Memory