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空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
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金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
Bias Dependence of Radiation-Induced Narrow-Width Channel Effects in 65 nm NMOSFETs 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 1-4
Authors:  Zheng, QW (Zheng, Qi-Wen);  Cui, JW (Cui, Jiang-Wei);  Wei, Y (Wei, Ying);  Yu, XF (Yu, Xue-Feng);  Lu, W (Lu, Wu);  Ren, DY (Ren, Diyuan);  Guo, Q (Guo, Qi)
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沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
Authors:  崔江维;  郑齐文;  余德昭;  周航;  苏丹丹;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65nm  负偏压温度不稳定性  沟道宽度  
总剂量辐射对65 nm NMOSFET热载流子敏感参数的影响 期刊论文
微电子学, 2018, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 126-130
Authors:  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维;  孙静;  马腾;  魏莹;  余学峰;  郭旗
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65 Nm Nmosfet  总剂量效应  热载流子效应  
辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  周航
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Cmos  热载流子  辐射效应  重离子辐照  Tddb  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
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Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性  
星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  余德昭
Adobe PDF(1666Kb)  |  Favorite  |  View/Download:136/0  |  Submit date:2016/09/27
Mosfet  辐射效应  Nbti  可靠性  
二联吡啶衍生物分子表面自组装结构调控的STM研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
Authors:  王熠
Adobe PDF(5434Kb)  |  Favorite  |  View/Download:82/0  |  Submit date:2016/09/27
二联吡啶  表面配位  物理吸附  扫描隧道显微镜(Stm)  自组装  高定向裂解石墨(Hopg)  
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  郑齐文
Adobe PDF(7082Kb)  |  Favorite  |  View/Download:188/0  |  Submit date:2015/06/15
大规模集成电路  总剂量辐射  静态随机存储器  损伤机制  试验方法  
高速深亚微米CMOS模数/数模转换器辐射效应、损伤机理及评估方法研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  吴雪
Adobe PDF(4353Kb)  |  Favorite  |  View/Download:263/1  |  Submit date:2014/08/05
深亚微米  高速模数/数模转换器  辐照偏置条件  总剂量效应  单粒子效应  加速评估方法