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新型非易失存储器电离辐射效应及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  张兴尧
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新型非易失存储器  传统非易失存储器  总剂量效应  辐射敏感参数  
Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13
Authors:  Wu Xue;  Lu Wu;  Wang Xin;  Xi Shan-Bin;  Guo Qi;  Li Yu-Dong
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0.18 Mu m  Narrow-channel Nmos Transistor  60co Gamma  Rince  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  高博
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Sram型fpga器件  总剂量效应  辐射损伤  评估技术  试验方法  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究 会议论文
, 贵阳, 2010-08-13
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  李豫东;  崔江维;  李茂顺;  李明;  王义元
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Sram型fpga  60coγ  总剂量辐射损伤效应  Cmos单元  
CCD器件的辐射损伤效应及其机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
Authors:  李鹏伟
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商用ccd  60coγ射线  电子束辐照  辐射损伤  敏感参数  评估方法  
SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 会议论文
, 沈阳, 2009
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  王义元;  李鹏伟;  于跃;  李茂顺;  崔江维
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60coγ总剂量  辐射损伤  退火效应  Fpga器件  
总剂量辐照前后CMOS器件阈电压变化的统计分析 期刊论文
核技术, 2006, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 665-669
Authors:  李爱武;  余学峰;  任迪远;  汪东;  匡治兵;  刘刚
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互补型金属-氧化物-半导体(Cmos)器件  总剂量辐照  阈电压  统计