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3MeV质子辐照下背照式CMOS图像传感器固定模式噪声的退化行为 期刊论文
现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 50-53
Authors:  张翔;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东;  冯婕;  马林东;  蔡毓龙;  王志铭
Adobe PDF(227Kb)  |  Favorite  |  View/Download:20/0  |  Submit date:2019/05/09
背照式CMOS图像传感器  3MeV质子  固定模式噪声  位移效应  电离总剂量效应  
空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  赵晓凡
Adobe PDF(3195Kb)  |  Favorite  |  View/Download:105/0  |  Submit date:2018/07/06
四结键合太阳能电池  位移损伤  少子扩散长度  辐射效应  
CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  王田晖
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Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号  
空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  马腾
Adobe PDF(2664Kb)  |  Favorite  |  View/Download:32/0  |  Submit date:2018/07/06
金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿  
γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制 期刊论文
发光学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 244-250
Authors:  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏
Adobe PDF(1365Kb)  |  Favorite  |  View/Download:61/0  |  Submit date:2018/03/13
电荷耦合器件  电离效应  位移损伤  光谱响应  
不同屏蔽材料对空间100 MeV质子防护效果分析 期刊论文
载人航天, 2018, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 740-744
Authors:  荀明珠;  何承发;  郑玉展
Adobe PDF(1641Kb)  |  Favorite  |  View/Download:16/0  |  Submit date:2019/05/09
Geant4  次级粒子  屏蔽材料  100 MeV质子  
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
Authors:  马腾;  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  赵京昊;  梁晓雯;  余学峰;  郭旗
Adobe PDF(793Kb)  |  Favorite  |  View/Download:28/0  |  Submit date:2018/07/20
辐射诱导泄漏电流  栅氧经时击穿  可靠性  质子辐照  部分耗尽soi  
科学级帧转移电荷耦合成像器件位移损伤效应与机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  曾骏哲
Adobe PDF(3212Kb)  |  Favorite  |  View/Download:57/0  |  Submit date:2017/09/26
电荷耦合器件  位移损伤  位移缺陷  低温测试  仿真模拟  
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  李占行
Adobe PDF(2989Kb)  |  Favorite  |  View/Download:62/0  |  Submit date:2017/09/26
晶格失配  位移损伤效应  位移损伤剂量  非电离能损  辐照退化  
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  苏丹丹
Adobe PDF(6461Kb)  |  Favorite  |  View/Download:54/0  |  Submit date:2017/09/26
Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性