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静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  卢健
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Sram  大规模集成电路  不同偏置  总剂量辐射效应  辐射损伤  
不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应 期刊论文
微电子学, 2011, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 128-132
Authors:  李茂顺;  余学峰;  任迪远;  郭旗;  李豫东;  高博;  崔江维;  兰博;  费武雄;  陈睿;  赵云
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静态随机存取存储器  总剂量辐照  偏置条件  
静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
Authors:  李茂顺
Adobe PDF(1386Kb)  |  Favorite  |  View/Download:88/0  |  Submit date:2016/05/26
Sram  总剂量辐射效应  敏感参数  偏置条件  剂量率