XJIPC OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 16 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  文林
Adobe PDF(3260Kb)  |  Favorite  |  View/Download:294/0  |  Submit date:2015/06/15
电荷耦合器件  电离总剂量效应  位移效应  损伤机理  敏感参数  基本单元  
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
Authors:  李培
Adobe PDF(2106Kb)  |  Favorite  |  View/Download:305/0  |  Submit date:2015/06/15
不同结构sige Hbt  单粒子效应  三维数值模拟仿真  激光微束试验  伪集电极加固  
偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响 期刊论文
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
Authors:  刘默寒;  陆妩;  马武英;  王信;  郭旗;  何承发;  姜柯
Adobe PDF(1646Kb)  |  Favorite  |  View/Download:128/0  |  Submit date:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管  总剂量效应  偏置条件  退火  
锗硅异质结双极晶体管单粒子效应加固设计与仿真 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 415-421
Authors:  李培;  郭红霞;  郭旗;  文林;  崔江维;  王信;  张晋新
Adobe PDF(966Kb)  |  Favorite  |  View/Download:131/0  |  Submit date:2015/09/09
锗硅异质结双极晶体管  单粒子效应  加固设计  伪集电极  
Simulation and sesign of single event effect radiation hardening for SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 11
Authors:  Li, P (Li Pei);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Guo, Q (Guo Qi);  Wen, L (Wen Lin);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Wang, X (Wang Xin);  Zhang, JX (Zhang Jin-Xin)
Adobe PDF(742Kb)  |  Favorite  |  View/Download:121/0  |  Submit date:2015/07/11
Sige Heterojunction Bipolar Transistor  Single Event Effect  Hardening Design  Dummy Collector  
基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN104133974A, 公开日期: 2014-11-05,
Inventors:  郭红霞;  郭旗;  李培;  文林;  王信;  刘默寒;  崔江维;  陆妩;  余学峰;  何承发
Favorite  |  View/Download:5/0  |  Submit date:2019/08/09
微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射效应及评估方法研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  丛忠超
Adobe PDF(1720Kb)  |  Favorite  |  View/Download:211/0  |  Submit date:2014/09/02
Sram  测试系统  辐照偏置  静态功耗电流  失效模式  
基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法 专利
专利类型: 发明专利, 公开号: CN103645430A, 公开日期: 2014-03-19,
Inventors:  郭红霞;  郭旗;  张晋新;  文林;  陆妩;  余学峰;  何承发;  崔江维;  孙静;  席善斌;  邓伟;  王信
Favorite  |  View/Download:5/0  |  Submit date:2019/08/10
不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究 期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 24, 页码: 446-453
Authors:  张晋新;  贺朝会;  郭红霞;  唐杜;  熊涔;  李培;  王信
Adobe PDF(903Kb)  |  Favorite  |  View/Download:131/0  |  Submit date:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管  不同偏置  单粒子效应  三维数值仿真  
Three-dimensional simulation study of bias effect on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2014, 卷号: 63, 期号: 24
Authors:  Zhang, JX (Zhang Jin-Xin);  He, CH (He Chao-Hui);  Guo, HX (Guo Hong-Xia);  Tang, D (Tang Du);  Xiong, C (Xiong Cen);  Li, P (Li Pei);  Wang, X (Wang Xin)
Adobe PDF(903Kb)  |  Favorite  |  View/Download:39/0  |  Submit date:2018/02/01
Sige Heterojunction Bipolar Transistor  Different Bias  Single Event Effect  3d Numerical Simulation